Adaty Al2O3 we BeO substrat materiallarynyň giňişleýin öndürijilik artykmaçlyklary bilen utgaşdyrylan, ýokary ýylylyk geçirijiligine (monokristalyň nazary ýylylyk geçirijiligi 275W/m▪k, polikristalyň nazary ýylylyk geçirijiligi 70~210W/m▪k), pes dielektrik hemişelikligine, ýeke kristally kremniý bilen deňeşdirilýän ýylylyk giňelme koeffisiýentine we gowy elektrik izolýasiýa häsiýetlerine eýe bolan alýumin nitridi (AlN) keramikasy mikroelektronika senagatynda zynjyr substratlary we gaplamalar üçin ideal materialdyr. Şeýle hem, gowy ýokary temperaturaly mehaniki häsiýetleri, ýylylyk häsiýetleri we himiki durnuklylygy sebäpli ýokary temperaturaly gurluşyk keramiki bölekleri üçin möhüm materialdyr.
AlN-iň nazaryýet dykyzlygy 3,26g/sm3, MOHS-iň gatylygy 7-8, otagyň temperatura garşylygy 1016Ωm-den ýokary we termal giňlik 3,5×10-6/℃ (otagyň temperaturasy 200℃). Arassa AlN keramikalary reňksiz we açyk, ýöne olar hapaçylyklar sebäpli dürli reňklerde, meselem, çal reňkli, çal reňkli ak ýa-da açyk sary reňklerde bolýar.
Ýokary ýylylyk geçirijiliginden başga-da, AlN keramikasynyň aşakdaky artykmaçlyklary hem bar:
1. Gowy elektrik izolýasiýasy;
2. Kremniý monokristalyna meňzeş termal giňelme koeffisiýenti, Al2O3 we BeO ýaly materiallardan has gowy;
3. Al2O3 keramikasy bilen ýokary mehaniki berklik we meňzeş egilme berkligi;
4. Ortaça dielektrik hemişelik we dielektrik ýitgisi;
5. BeO bilen deňeşdirilende, AlN keramikasynyň ýylylyk geçirijiligine temperatura, esasanam 200℃-den ýokary temperatura az täsir edýär;
6. Ýokary temperatura we korroziýa garşylygy;
7. Zäherli däl;
8. Ýarymgeçirijiler senagatyna, himiýa metallurgiýa senagatyna we beýleki senagat ulgamlaryna ulanylsyn.
Ýerleşdirilen wagty: 2023-nji ýylyň 14-nji iýuly