sahypa_banneri

Bernoulli keramiki uç effektory — Inçe we döwülen wafllar üçin kontaktsyz wafli işlemegi

Bernoulli keramiki uç effektory — Inçe we döwülen wafllar üçin kontaktsyz wafli işlemegi

Gysgaça düşündiriş:

St.Cera-nyň Bernoulli keramiki uç effektory fiziki gatnaşyksyz waferleri dolandyrmak üçin aerodinamik göteriji ulanýar. Ýokary arassalykly 99,8% alýumin oksidinden (Al₂O₃) ýa-da kremniý karbidinden (SiC) öndürilen bu enjam, uç effektor bilen waferiň arasynda inçe howa plýonkasyny döretmek üçin basyşly gaz çykarýan takyk işlenen nozullary öz içine alýar. Bu gatnaşyksyz prinsip arka tarapdaky hapalanmany, gyralaryň döwülmegini we ýüziň zeperlenmegini aradan aýyrýar, bu bolsa ony inçe (≤100 μm), ejiz ýa-da egri waferler üçin amatly edýär. Keramiki substrat ýokary egilme güýjüni (Al₂O₃ üçin 361 MPa; SiC üçin 550–600 MPa çenli), pes massany we ajaýyp ölçegli durnuklylygy üpjün edýär, ýokary tizlikli wafer geçiriji robotlarynda gaýtalanýan ýerleşdirilişi üpjün edýär.


Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

St.Cera-nyň Bernoulli keramiki uç effektory fiziki gatnaşyksyz waferleri dolandyrmak üçin aerodinamik göteriji ulanýar. Ýokary arassalykly 99,8% alýumin oksidinden (Al₂O₃) ýa-da kremniý karbidinden (SiC) öndürilen bu enjam, uç effektor bilen waferiň arasynda inçe howa plýonkasyny döretmek üçin basyşly gaz çykarýan takyk işlenen nozullary öz içine alýar. Bu gatnaşyksyz prinsip arka tarapdaky hapalanmany, gyralaryň döwülmegini we ýüziň zeperlenmegini aradan aýyrýar, bu bolsa ony inçe (≤100 μm), ejiz ýa-da egri waferler üçin amatly edýär. Keramiki substrat ýokary egilme güýjüni (Al₂O₃ üçin 361 MPa; SiC üçin 550–600 MPa çenli), pes massany we ajaýyp ölçegli durnuklylygy üpjün edýär, ýokary tizlikli wafer geçiriji robotlarynda gaýtalanýan ýerleşdirilişi üpjün edýär.

Materiallar barada bellik:Alýumin oksidi (Al₂O₃) gatylygyň, elektrik izolýasiýasynyň, himiki durnuklylygyň we tygşytlylygyň ajaýyp utgaşmasy sebäpli ýarymgeçiriji plastinkalary gaýtadan işlemekde keramiki uç effektorlary üçin iň köp ulanylýan materialdyr. Kremniý karbidi (SiC) iň talap edilýän ulanyşlar üçin has ýokary ýylylyk geçirijiligini, has ýokary gatylygy we has gowy aşynma garşylygyny hödürleýär. Ittriýa bilen durnuklaşdyrylan sirkon (ZrO₂) otagyň temperaturasynda ýokary döwülme çydamlylygyny üpjün etse-de, ýokary dykyzlygy we dürli ýylylyk giňelme häsiýetleri sebäpli bu ulanyşda seýrek ulanylýar; aýratyn döwülme çydamlylygynyň talap edilýän aýratyn ýagdaýlary üçin göz öňünde tutulyp bilner. Material saýlamak boýunça görkezme almak üçin tehniki toparymyza ýüz tutuň.

 

Tehniki häsiýetnamalar(99.8% Al esasyndaO):


Emläk
  Bahasy (AlO)
Material   99.8% alýumin oksidi
Dykyzlyk   3.93 g/sm³
Bükülme güýji   361 MPa
Synmagyň çydamlylygy   3–4 MPa·m¹/²
Vickers gatylygy   16 GPa
Ýaşyň Moduly   380 GPa
Termal giňelme (25–1000°C)   7.2×10⁻⁶/℃
Maksimum işleýiş temperaturasy   800°C (howa)
Ýüziň büdür-büdürligi (wafer görnüşindäki)   Ra ≤0.4 μm

 

Işleýiş prinsipi:

Sygylan howa ýa-da azot (0,2–0,6 MPa) içki kanallar arkaly berilýär we takyk nozzler arkaly çykýar. Tizleşdirilen howa akymy soňky effektoryň üstünde pes basyşly zona döredýär (Bernulliniň täsiri), waferi 50–200 μm aralykda saklaýan göteriji güýji döredýär. Waferiň arka tarapyna wakuum deşikleri ýa-da ýastykçalar degmeýär.

 

Ulanyşlar:

  • · Yzky tarapy üwelenden soň inçe plastinka (≤50 μm) bilen işlemek
  • · Egri wafer daşamagy (meselem, ÝKD-den soň ýa-da tawlamadan soň)
  • · Gün batareýasy we LED sapfir substratynyň geçirilmegi
  • · Nol bölejik öndürmegi talap edýän arassa otag awtomatlaşdyrmasy
  • · Displeý önümçiliginde aýna panelleri ulanmak

 

Önümçilik prosesi:

Ýokary arassa poroşokdan sinterlenen keramiki substrat → Gaz kanallarynyň we burun deşikleriniň 5 okly CNC işlenilmegi (diametri 0.3–1.0 mm, çydamlylyk ±0.01 mm) → Ra ≤0.4 μm ýüzüni sürtmek → ultrases arassalamak → geliý syzdyryş synagy (gaz kanallary). Örtük gerek däl — ýalaňaç keramiki ýüz himiki taýdan inert we hapalanmaýar.

 

Hil gözegçiligi:

  • · Nasoslaryň ýerleşişiniň, gollaryň uzynlygynyň we tekizliginiň 100% ölçegli barlagy (CMM)
  • · Howa akymynyň deňligi synagy: ähli nozullarda basyşyň düşmegi ≤5%
  • · Sızma synagy: gaz kanallary 0.6 MPa-da möhürlendi, 30 sekuntdan köp basyş düşmedi
  • · Mikro çatlaklary ýa-da çişmeleri barlamak üçin 20x mikroskop astynda wizual barlag

 

AAdaty kontakt effektorlaryndan artykmaçlyklary:

  • · Waferiň arka tarapynyň hapalanmagy ýok — mehaniki gatnaşyk ýok
  • · Inçe plitalaryň gyralary döwülmeýär ýa-da döwülmeýär
  • · Durnukly aralygy bolan egri waflileri (1 mm-e çenli ýaý) dolandyrýar
  • · Wakuum generatorynyň we gözenekli patronyň tehniki hyzmatyny aradan aýyrýar
  • · Keramik gurluş aşynma we himiki hüjümlere garşy durýar

 

Özleşdirme:

  • · 200 mm, 300 mm ýa-da öz islegiňize laýyk gelýän wafer ölçegleri üçin elýeterli
  • · Gaz nasadkalarynyň nagyşlary: göni, burçly ýa-da girdap görnüşli
  • · Materiallar: alýumin oksidi (standart) ýa-da kremniý karbidi (ýokary ýylylyk geçirijiligi we aşynma garşylygy üçin)
  • · OEM çyzgysyna laýyklykda goluň uzynlygy, gurnama flanesi we gaz portunyň ýerleşýän ýeri

 

Çäklendirmeler:

Bernulli prinsipiniň amala aşyrylmagy (burun dizaýny, howa aralygy) berlen material häsiýetleriniň tablisalarynyň çäginden çykýar. Ýokardaky mehaniki we termal häsiýetler 99,8% Al₂O₃ üçin berlen maglumat sahypalaryna berk eýerýär. Bu material häsiýetlerine esaslanyp, basyş astyndaky keramiki gaz akymynyň işiniň pese gaçmagyna garaşylmaýar. Gaz akymyna duýgur waferler üçin (meselem, ejiz gurluşly MEMS), gaz basyşy we burun dizaýny degişlilikde sazlanmalydyr.


  • Öňki:
  • Indiki: